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アイテム
非ハーフメタルヘテロ構造が自発的にハーフメタルトンネル接合となる界面新物質の創成
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/19777
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/19777d1983990-d9df-41d8-a566-24fd326bd1fc
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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15K04670seika.pdf (2.3 MB)
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| Item type | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||||||||||
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| 公開日 | 2018-11-22 | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | 非ハーフメタルヘテロ構造が自発的にハーフメタルトンネル接合となる界面新物質の創成 | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | New interface materials of half-metallic tunneling junction consisting of hetero-structures of non-half-metallic materials | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 著者 |
西川, 博昭
× 西川, 博昭
× 岩田, 展幸
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| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||
| 主題 | 界面電荷移動, モット・ハバード型絶縁体, 電荷移動型絶縁体, ヘテロ界面, 界面新物質 | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||||||||||
| 資源タイプ | research report | |||||||||||||
| 著者(英) | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 値 | NISHIKAWA, Hiroaki | |||||||||||||
| 著者(英) | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 値 | IWATA, Nobuyuki | |||||||||||||
| 著者 所属 | ||||||||||||||
| 値 | 近畿大学生物理工学部; 准教授 | |||||||||||||
| 著者 所属 | ||||||||||||||
| 値 | 日本大学理工学部; 准教授 | |||||||||||||
| 著者所属(翻訳) | ||||||||||||||
| 値 | Kindai University | |||||||||||||
| 著者所属(翻訳) | ||||||||||||||
| 値 | Kindai University | |||||||||||||
| 著者 役割 | ||||||||||||||
| 値 | 研究代表者/研究分担者 | |||||||||||||
| 著者 外部リンク | ||||||||||||||
| 関連名称 | https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K04670/ | |||||||||||||
| 版 | ||||||||||||||
| 出版タイプ | NA | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43 | |||||||||||||
| 出版者 名前 | ||||||||||||||
| 出版者 | 近畿大学 | |||||||||||||
| 書誌情報 |
科学研究費助成事業研究成果報告書 (2017) p. 1-4, 発行日 2018 |
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| 抄録 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | 研究成果の概要（和文）：次世代ユニバーサルメモリの有力候補である磁気抵抗ランダムアクセスメモリへの応用が期待できるハーフメタルトンネル接合を実現するための新物質創成を最終目標として、非ハーフメタルからなるヘテロ構造が自発的にハーフメタルトンネル接合となる組み合わせを探索し、界面新物質創成を試みた。ともにペロブスカイト型酸化物であるLaTi03(LTO)とLaFe03(LFO)のヘテロ界面においてLTOからLFOへ電子移動が起こり、絶縁体のヘテロ界面が金属的電気伝導を示すという界面新物質の創成に成功した。 研究成果の概要（英文）：Toward the discovery of half-metallic tunneling junctions which is expected to be applied to magnetic random access memory, i.e., an important candidate for the realization of next generation's universal memory devices, the new interface materials have been explored. In this study, the new interface materials mean the spontaneous half-metallic tunneling junctions consisting of non-half-metallic materials. At the hetero-interface between two perovskite type oxides, LaTi03 (LTO) and LaFe03 (LFO), electron is transferred from LTO to LFO. This electron transfer causes the metallic conductivity at the hetero-interface between LTO/LFO, i.e., both insulators. This result means that the 'new interface materials~ can be successfully discovered. |
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| 内容記述 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||
| 内容記述 | 研究種目：基盤研究(C); 研究期間：2015～2017; 課題番号：15K04670; 研究分野：酸化物エレクトロニクス; 科研費の分科・細目： | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||
| 内容記述 | Research Paper | |||||||||||||
| フォーマット | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||||||
