@techreport{oai:kindai.repo.nii.ac.jp:00019777,
 author = {西川, 博昭 and 岩田, 展幸},
 month = {},
 note = {研究成果の概要（和文）：次世代ユニバーサルメモリの有力候補である磁気抵抗ランダムアクセスメモリへの応用が期待できるハーフメタルトンネル接合を実現するための新物質創成を最終目標として、非ハーフメタルからなるヘテロ構造が自発的にハーフメタルトンネル接合となる組み合わせを探索し、界面新物質創成を試みた。ともにペロブスカイト型酸化物であるLaTi03(LTO)とLaFe03(LFO)のヘテロ界面においてLTOからLFOへ電子移動が起こり、絶縁体のヘテロ界面が金属的電気伝導を示すという界面新物質の創成に成功した。
研究成果の概要（英文）：Toward the discovery of half-metallic tunneling junctions which is expected to be applied to magnetic random access memory, i.e., an important candidate for the realization of next generation's universal memory devices, the new interface materials have been explored. In this study, the new interface materials mean the spontaneous half-metallic tunneling junctions consisting of non-half-metallic materials. At the hetero-interface between two perovskite type oxides, LaTi03 (LTO) and LaFe03 (LFO), electron is transferred from LTO to LFO. This electron transfer causes the metallic conductivity at the hetero-interface between LTO/LFO, i.e., both insulators. This result means that the 'new interface materials~ can be successfully discovered., 研究種目：基盤研究(C);  研究期間：2015～2017;   課題番号：15K04670;   研究分野：酸化物エレクトロニクス;   科研費の分科・細目：, application/pdf},
 title = {非ハーフメタルヘテロ構造が自発的にハーフメタルトンネル接合となる界面新物質の創成},
 year = {2018},
 yomi = {ニシカワ, ヒロアキ and イワタ, ノブユキ}
}