WEKO3
アイテム
強誘電性配位高分子を用いた低電圧駆動メモリトランジスタの創製
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/18066
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/18066c9b4d504-f062-4ead-b6e3-a41739eb9273
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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25410077seika.pdf (944.7 kB)
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| Item type | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2016-10-17 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 強誘電性配位高分子を用いた低電圧駆動メモリトランジスタの創製 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Development of low-power consumption memory transistors with ferroelectric coordination polymers | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 著者 |
大久保, 貴志
× 大久保, 貴志
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| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題 | 配位高分子, 強誘電性, トランジスタ, 薄膜化 | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||||||
| 資源タイプ | research report | |||||||||
| 著者(英) | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 値 | OKUBO, Takashi | |||||||||
| 著者 所属 | ||||||||||
| 値 | 近畿大学理工学部; 准教授 | |||||||||
| 著者所属(翻訳) | ||||||||||
| 値 | Kindai University | |||||||||
| 著者 役割 | ||||||||||
| 値 | 研究代表者 | |||||||||
| 著者 外部リンク | ||||||||||
| 関連名称 | https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25410077/ | |||||||||
| 版 | ||||||||||
| 出版タイプ | NA | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43 | |||||||||
| 出版者 名前 | ||||||||||
| 出版者 | 近畿大学 | |||||||||
| 書誌情報 |
科学研究費助成事業研究成果報告書 (2015) p. 1-5, 発行日 2016 |
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| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | 研究成果の概要（和文）：有機電界効果トランジスタ（FET）はインクジェットなどの印刷技術を適用することで直接フレキシブル基板上に安価に無駄なく作製できるため、近年次世代の環境低負荷低消費電力デバイスとして注目されている。本研究では独自に開発した強誘電性配位高分子を用いることで低電圧駆動メモリトランジスタを開発する事を目的とした。今回、新たな強誘電性配位高分子の開発とトランジスタの作製および物性評価を行い低電圧駆動メモリトランジスタの開発を実施した。その結果いくつかの新規強誘電性配位高分子の合成に成功し、その誘電性と伝導性の評価を行った。また、強誘電性配位高分子に関して新たな成膜法を開発し、FET特性の評価を行った。 研究成果の概要（英文）：Organic field-effect transistors (OFETs) have attracted a considerable amount of interest as new environmentally thoughtful low-power consumption devices because they can be fabricated with low cost by the application of printed technologies such as inkjet printing on flexible substrates. In this research, we have attempted to create new ferroelectric coordination polymers in order to develop new memory FET devices working with low voltage. In this result, we successfully synthesized several new ferroelectric coordination polymers, and the dielectric and conducting properties have been revealed. In addition we found new fabrication methods for the coordination polymer thin films via solution processes, and they were applied to develop new FETs with ferroelectric coordination polymers. |
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| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 研究種目：基盤研究(C); 研究期間：2013～2015; 課題番号：25410077; 研究分野：錯体化学; 科研費の分科・細目： | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | Research Paper | |||||||||
| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||
