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アイテム
生体セラミックスの電子デバイスへの応用 : アパタイト薄膜の原子レベル成長制御
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/3454
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/345495b35ae2-8b53-4869-b334-26ff3a2b7e71
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KAKEN_24560019seika.pdf (3.1 MB)
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| Item type | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2015-10-30 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 生体セラミックスの電子デバイスへの応用 : アパタイト薄膜の原子レベル成長制御 | |||||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||||
| その他のタイトル | Application of bio-ceramics to electronic devices: Growth control of apatite thin films with atomic scale | |||||||||
| 著者 |
西川, 博昭
× 西川, 博昭
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| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題 | 結晶工学, 電子・電気材料, エピタキシャル成長, ハイドロキシアパタイト, パルスレーザ堆積法 | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||||||
| 資源タイプ | research report | |||||||||
| 著者(英) | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 値 | NISHIKAWA, Hiroaki | |||||||||
| 著者 所属 | ||||||||||
| 値 | 近畿大学生物理工学部; 准教授 | |||||||||
| 著者所属(翻訳) | ||||||||||
| 値 | Kinki University | |||||||||
| 著者 役割 | ||||||||||
| 値 | 研究代表者 | |||||||||
| 著者 外部リンク | ||||||||||
| 関連名称 | https://kaken.nii.ac.jp/d/r/50309267.ja.html | |||||||||
| 版 | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| 出版者 名前 | ||||||||||
| 出版者 | 近畿大学 | |||||||||
| 書誌情報 |
科学研究費助成事業研究成果報告書 (2014. ) p. 1-5, 発行日 2014-01-01 |
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| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | 研究成果の概要（和文): 医療材料として注目を集めるCa10(PO4)6(OH)2（HA）が示す微弱な圧電性（歪みで電圧を発生・電圧で歪みを発生）を実用レベルに増大することで「生体由来物質であるために環境へ有害性を示さず希少元素を含まない」環境問題と鉱物資源問題を同時に解決し得る新奇な電子デバイスが期待できる. 圧電性増大はHA結晶の原子配列を完全に制御することが必要なため, その基礎を確立する目的で, 本研究ではHA薄膜の原子レベル成長制御を試みた. その結果(1)Al2O3(001)基板上に結晶軸がそろったHA薄膜を得ること, (2)HA薄膜作製条件を詳細に制御し, 正規組成（Ca/P ~ 1.67）に近い試料を得ること、に成功した. 研究成果の概要（英文): Hydroxyapatite, Ca10(PO4)6(OH)2 (HA), having weak piezoelectricity is a candidate of novel electronic materials which can solve environmental and finite rare resource problems simultaneously because HA is a bio-ceramics without minor metals. It is the most important factor to control the arrangement of each atom in the HA crystal in order to realize the increase of piezoelectricity. In this study, growth control of the HA thin films with atomically scale was examined by using pulsed laser deposition (PLD) as the first step for the goal of the study. The HA thin films grew with [001] orientation on Al2O3(001) substrate like single crystal. Furthermore, it was achieved to prepare the HA thin films with the proper chemical composition (Ca/P ratio = 10/6 ~ 1.67) by controlling the PLD parameters. | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 研究種目：基盤研究(C); 研究期間：2012～2014; 課題番号：24560019; 研究分野：結晶化学; 科研費の分科・細目： | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | Research Paper | |||||||||
| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||
