WEKO3
アイテム
フレキシブル高分子上への機能性酸化物エピタキシャル薄膜作製
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/3263
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/3263960cd97e-6348-46b6-a743-43d9a428c807
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KAKEN_22760013seika.pdf (1.6 MB)
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| Item type | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2012-11-13 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | フレキシブル高分子上への機能性酸化物エピタキシャル薄膜作製 | |||||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||||
| その他のタイトル | Fabrication of epitaxially grown functional oxide thin films on flexible polymer substrate. | |||||||||
| 著者 |
西川, 博昭
× 西川, 博昭
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| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題 | エピタキシャル成長, フレキシブルデバイス | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||||||
| 資源タイプ | research report | |||||||||
| 著者(英) | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 値 | NISHIKAWA, HIROAKI | |||||||||
| 著者 所属 | ||||||||||
| 値 | 近畿大学生物理工学部; 准教授 | |||||||||
| 著者所属(翻訳) | ||||||||||
| 値 | Kinki University | |||||||||
| 著者 役割 | ||||||||||
| 値 | 研究代表者 | |||||||||
| 著者 外部リンク | ||||||||||
| 関連名称 | https://kaken.nii.ac.jp/d/r/50309267.ja.html | |||||||||
| 版 | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| 出版者 名前 | ||||||||||
| 出版者 | 近畿大学 | |||||||||
| 書誌情報 |
科学研究費補助金研究成果報告書 (2011. ) p. 1-4, 発行日 2011-01-01 |
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| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | 研究成果の概要(和文):本研究では圧電体や強誘電体など機能酸化物のエピタキシャル薄膜を高分子製フレキシブル基板上に形成するための基礎を確立することを目的とする。高分子製フレキシブル基板は耐熱性に乏しく、機能性酸化物をエピタキシャル成長させるために必要な数100℃ 以上の加熱に耐えることができないため、耐熱性に優れるMgO基板上に良質の薄膜を作製したのち、これを高分子製フレキシブル基板に接着してからMgO基板を除去するという新しい作製プロセスを提案し、遷移金属酸化物のエピタキシャル薄膜をフレキシブル化するための基礎を確立した。 研究成果の概要(英文) : The purpose of the study is to clarify the fundamental knowledge and the process procedure for the fabrication of epitaxial functional oxides, i. e. , piezoelectric, ferroelectric and so on, onto flexible polymer substrates. Generally, flexible polymer cannot resist the temperature of more than hundreds centigrade, due to the poor heatproof. In order to resolve the problem, the novel process for the flexible epitaxial oxide thin films was proposed. First, high quality oxide thin film is epitaxially grown on Mgo substrate which is heatproof. Then the sample is glued to flexible polymer substrate. Finally, the MgO substrate is completely dissolved by etching process. In this study, basic procedure of the process was established. | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 研究種目：若手研究(B); 研究期間：2010～2011; 課題番号：22760013; 研究分野：工学; 科研費の分科・細目：応用物理学・工学基礎、応用物性・結晶工学 | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | Research Paper | |||||||||
| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||
