WEKO3
アイテム
微小界面構造体における潜在欠陥情報の抽出
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/23365
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/23365809c1cf4-0410-44a8-9bdf-fda22538d547
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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18K03864seika.pdf (752.6 kB)
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| Item type | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2022-12-05 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 微小界面構造体における潜在欠陥情報の抽出 | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Detection of potential defects on small-scale interfacial structures | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 著者 |
宍戸, 信之
× 宍戸, 信之
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| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題 | 界面強度, エレクトロニクス, 欠陥, 材料組織 | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||||||
| 資源タイプ | research report | |||||||||
| 著者(英) | ||||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 値 | shishido, nobuyuki | |||||||||
| 著者 所属 | ||||||||||
| 値 | 近畿大学理工学部; 講師 | |||||||||
| 著者所属(翻訳) | ||||||||||
| 値 | Kindai University | |||||||||
| 著者 役割 | ||||||||||
| 値 | 研究代表者 | |||||||||
| 版 | ||||||||||
| 出版タイプ | NA | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43 | |||||||||
| 出版者 名前 | ||||||||||
| 出版者 | 近畿大学 | |||||||||
| 書誌情報 |
科学研究費助成事業研究成果報告書 (2021) p. 1-4, 発行日 2021 |
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| リンクURL | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18K03864/ | |||||||||
| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | 研究成果の概要（和文）：本研究では、局所の界面強度を直接評価可能な方法論によって、微小な界面構造体におけるき裂の進展抵抗と潜在するき裂形状の双方を評価することで、微小構造体の大規模システムであるエレクトロニクスデバイスの初期破壊リスクの定量化を試みた。実際の製造プロセス同様に熱負荷を加えて破壊させた試験結果から導かれる破壊挙動とその頻度分布が、それを再現するモデルとよい一致を示した。これは本方法論を発展させることで、半導体デバイスなどのの破壊リスクを定量化する設計手法を実現可能であることを示唆する結果である。 研究成果の概要（英文）： Copper interconnect systems of semiconductor devices has a risk of mechanical fracture along with the trend of further integration and miniaturization, because of many weak interfaces stacked to compose multilayered copper/dielectric systems. In order to estimate the fracture risk of the semiconductor products, not only the values of those adhesion strengths but also the information of the existing defect that can possibly initiate the interfacial fracture are essential. In this research, both the adhesion strength and the stochastic distribution of defect size at copper/dielectric interface that can be regarded as an equivalent crack were estimated. The crack extension behavior during the thermal load test as the same as a semiconductor process, shows good agreement with the developed model based on the fracture strength dependent on the microstructure of metal interconnect. |
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| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 研究種目：基盤研究(C); 研究期間：2018～2021; 課題番号：18K03864; 研究分野：破壊力学; 科研費の分化・細目： | |||||||||
| 資源タイプ(WEKO2) | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | Research Paper | |||||||||
| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||
