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アイテム
SOI形メモリーデバイスの正孔発生手段による特性比較--インパクト・イオン化とバンド間トンネリング
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/12920
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/12920c3a437e1-541f-42fe-8043-6d5d70c2844c
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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AA12315376-20150315-0041.pdf (5.2 MB)
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| Item type | ☆紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2015-12-25 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | SOI形メモリーデバイスの正孔発生手段による特性比較--インパクト・イオン化とバンド間トンネリング | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Characteristics Comparison of SOI-type Memory Device by Hole Generation Methods | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 著者 |
嶋野, 彰夫
× 嶋野, 彰夫
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| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| キーワード | ||||||||||
| 主題 | Semiconductor Memory Device, MOS fie ld effect transistor, Silicon On Insulator, DRAM | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||
| 著者(英) | ||||||||||
| en | ||||||||||
| SHIMANO, Akio | ||||||||||
| 著者 所属 | ||||||||||
| 近畿大学工業高等専門学校総合システム工学科電気電子コース | ||||||||||
| 著者所属(翻訳) | ||||||||||
| Kinki University Technical College | ||||||||||
| 版 | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| 出版者 名前 | ||||||||||
| 出版者 | 近畿大学工業高等専門学校 | |||||||||
| 書誌情報 |
近畿大学工業高等専門学校研究紀要 en : Research reports Kinki University Technical College 巻 8, p. 41-46, 発行日 2015-03-01 |
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| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 18824374 | |||||||||
| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | New memory device based on Instability of SOI(semiconductor on insulator) FET has been expected to take the place of Dynamic RAM using as main memory in computer systems. This paper describes the results of investigation on data "1" writing mechanisms based on Impact Ionization and Band to Band Tunneling . Both write mechanisms create hole resulting in Si body potential raising and threshold voltage change of SOI FET. Si body potential during WRITE operation is successfully explained by diode model of hole injection from Si body to source region in both WRITE methods. READ current difference between data "0" and "1" has been obtained 55pA typically which is enough to precise data detection. Band to Band Tunneling can be expected to low power and high-speed writing method due to x10 higher efficiency. | |||||||||
| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||
