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アイテム
Point-source model for highly-accurate analytical 3D calculation of ion implanted dopant profiles
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/12790
https://kindai.repo.nii.ac.jp/records/12790aa6e8786-1a76-49f6-ae71-a46d18f950f5
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | ☆紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||
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公開日 | 2011-03-23 | |||||||||
タイトル | ||||||||||
タイトル | Point-source model for highly-accurate analytical 3D calculation of ion implanted dopant profiles | |||||||||
言語 | en | |||||||||
著者 |
Nishi, Kenji
× Nishi, Kenji
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言語 | ||||||||||
言語 | eng | |||||||||
キーワード | ||||||||||
主題 | Ion implantationn, Silicon, Modeling, Simulation, Monte Carlo model | |||||||||
資源タイプ | ||||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||
著者 所属 | ||||||||||
値 | 近畿大学工業高等専門学校 総合システム工学科 電気電子系 | |||||||||
版 | ||||||||||
出版タイプ | AM | |||||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||
出版者 名前 | ||||||||||
出版者 | 近畿大学工業高等専門学校 | |||||||||
書誌情報 |
近畿大学工業高等専門学校研究紀要 en : Research reports Kinki University Technical 号 4, p. 41-44, 発行日 2011-01-01 |
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ISSN | ||||||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
収録物識別子 | 18824374 | |||||||||
抄録 | ||||||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
内容記述 | [Abstract] A point-source model of ion implantation is proposed for highly-accurate calculation of implaned ion profiles in 3D. Implanted ion profile is obtained by integrals, over implanted surface, of point-source implanted profiles which are calculated by a well-tuned Monte Carlo simulation and are then reconstructed by analytical functions considering various channeling directions. The significance of the proposed model is demonstrated by remarkable accuracy of lateral profiles along the masked surface. | |||||||||
内容記述 | ||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||
内容記述 | 西, 謙二 | |||||||||
フォーマット | ||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||
内容記述 | application/pdf |